通过进一步将噻吩插入其分子结构中，含光合光得到具有更高共轭和NIR发射的2TPE-2T-BI分子，含光合光并将2TPE-2T-BI制成AIE量子点，通过生物正交点击化学进行体内代谢标记。

伏全f,Fe3(THT)2(NH4)32DMOF薄膜带宽。这种新材料显示出约0.25eV的直接红外带隙，产业并具有高达约220cm2V-1s-1的电荷载流子迁移率。

团队采用一种全光学、链天无接触的时间分辨太赫兹频谱(TRTS)技术，制备了一种新型π-d共轭半导体化二维MOFFe3(THT)2(NH4)3。从合成的角度来看，中直开发单晶并将其分层成单层不仅可以对结构-性能关系进行基础研究，中直还可以在需要长距离自由载流子运动时开发基于MOF的功能器件。东投大基地项作者制备的Fe3(THT)2(NH4)3是类石墨烯结构的MOF子类的一部分。

建垂投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu。体化解决半导体MOF中电荷传输的基本原理对于推进MOF设计以及这类材料在光电应用中得到应用是至关重要的。

含光合光这种二维半导体化MOF的室温迁移率达到220 cm2 V–1s–1。

伏全图2.通过太赫兹谱测试的Fe3(THT)2(NH4)32DMOFs的室温光导性a,光导与泵浦探测迟滞的关系。(b)熔融硒在CNT表面被吸收，产业表明液体硒浸润CNT。

(b)碳纳米管通道内的水分子数与时间关系，链天每根碳管每纳秒占据5个水分子。中直(b)CNT通道限域制备Ag纳米线的TEM图像。

东投大基地项(b)CNT中水在电子束加热下的状态：初始亲水状态。建垂图18三维纳米通道中水粘度与浸润性关系(a)使用AFM进行粘性力测量的实验装置的示意图。